中国或研发出国产深紫外光刻机能生产8纳米及以下晶片

中国官方本月发布首台（套）重大技术装备推广应用指导目录，包含了套刻等于及少于8纳米的氟化氩光刻机，意味着中国可能已研发出可生产8纳米及以下晶片的国产深紫外光刻机。

中国工业和信息化部上星期一（9月9日）发布目录，在集成电路生产装备名单中包含了一款氟化氩光刻机，套刻为≦8nm。

综合IT之家、星岛网和中央社报道，氟化氩服务于深紫外光刻机。上述深紫外光刻机可生产8纳米及以下晶片。

报道称，中国若实现国产8纳米及以下制程深紫外光刻机，未来绝大多数晶片制造，将不用受制于荷兰计算机芯片设备供应商阿斯麦（ASML）。

中国首台（套）重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

香港《南华早报》报道，ASML几乎垄断了极紫外光刻机市场，自2019年以来面对与对华出口该设备有关的限制令。

光刻机可将高度复杂的电路图案印制到硅片上。中国光刻机市场有99%的份额由ASML，以及日本公司尼康和佳能掌控，但只有ASML能生产有制造小于7纳米芯片能力的光刻器。

荷兰9月6日公布，将扩大对阿斯麦1970i和1980i深紫外浸没式光刻设备的出口许可要求，使荷兰方面的规则与美国去年单方面对这些机器实施的出口限制保持一致。

中国官方之后对于荷兰扩大对光刻机的管制范围表示不满，并呼吁荷兰不滥用出口管制措施。